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关键的难点在于，足够灵活的非易失性数据记录存储器以根据应用需求对代码和数据的存储进行分区。用于存储代码的存储器必须确保系统不会意外写入用于执行代码的存储区域。因此，为了满足单芯片工艺的要求，非易失性数据记录存储器需要具备存储器保护功能。例如，块保护防止意外写入开发人员定义的一系列地址。这使一个存储器在存储和保护代码的同时支持实时数据记录。

铁电体技术

非易失性数据记录存储器的关键是铁电技术。铁电技术将RAM的高性能和字节寻址能力与非易失性数据存储相结合。用于非易失性存储器的铁电技术带有使用锆钛酸铅（PZT）薄膜的存储单元。当施加电场时，PZT晶体中的中心原子改变位置。中心原子的两个位置作为存储器的二进制状态存储一个数位。当电源中断时，原子位置被保留，从而保护数据。其数据可靠性也很高，无需任何备用电源就能安全保存数据100年之久。

非易失性数据记录存储器非常高效。其能耗比串行EEPROM低200倍，比NOR闪存低3000倍。这项技术还提供高数据可靠性，读/写耐久性达100万亿次（1014）。相比之下，闪存和EEPROM等浮栅技术 短在106个周期内就会损坏，因此它们不适合频繁的系统数据捕捉。

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