1756-M02AE /A
发布时间:2018-12-20 14:18:31点击率:
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1756-M02AE/A 1756-M02AE/A 崭新的Gen8设计让的Vce(on)能减少功耗,增加功率密度,以及提供超卓的耐用性。国际整流器亚太区销售副总裁潘大伟表示,该公司透过开发全新基准技术及的IGBT矽平台,彰显在数十年来致力提升功率电子技术的承诺。国际整流器期望为所有电动马达提供百分百变频,借以更有效使用电能,并且绿化环境。 新技术针对马达驱动应用提供更好的软关断功能,有助于把dv/dt减到,从而减少电磁干扰和过压,以提升可靠性与耐用性。这个平台的参数分布较狭窄,在高电流功率模组内并联起多个IGBT之时,可带来出色的电流分配。薄晶圆技术则改善热阻和达到175℃的结温。 潘大伟指出,国际整流器的Gen8IGBT平台凭借的Vce(on)、耐用性及开关功能,能让工业市场厂商所面对的艰巨难题迎刃而解。 关于IGBT: IGBT(InsulatedGateBipolarTransistor),绝缘栅双极型晶体管,是由BJT(双极型三极管)和MOS(绝缘栅型场效应管)组成的复合全控型电压驱动式功率半导体器件,兼有MOSFET的高输入阻抗和GTR的低导通压降两方面的优点。GTR饱和压降低,载流密度大,但驱动电流较大;MOSFET驱动功率很小,开关速度快,但导通压降大,载流密度小。IGBT综合了以上两种器件的优点,驱动功率小而饱和压降低。非常适合应用于直流电压为600V及以上的变流系统如交流电机、变频器、开关电源、照明电路、牵引传动等领域。 1756-M02AE/A 本公司秉承“顾客至上,锐意进取”的经营理念,
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