194R-J100-1753 /A
发布时间：2018-12-20 15:21:18点击率：
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194R-J100-1753/A SDRAM的基本读写操作 SDRAM的基本读操作需要控制线和地址线相配合地发出一系列命令来完成。先发出BANK激活命令（ACTIVE），并锁存相应的BANK地址（BA0、BA1给出）和行地址（A0~A12给出）。BANK激活命令后必须等待大于tRCD（SDRAM的RAS到CAS的延迟指标）时间后，发出读命令字。CL（CAS延迟值）个工作时钟后，读出数据依次出现在数据总线上。在读操作的，要向SDRAM发出预充电（PRECHARGE）命令，以关闭已经激活的页。等待tRP时间（PRECHARGE）命令，以关闭已经激活的页。等待tRP时间（PRECHAREG命令后，相隔tRP时间，才可再次访问该行）后，可以开始下一次的读、写操作。SDRAM的读操作只有突发模式（BurstMode），突发长度为1、2、4、8可选。 SDRAM的基本写操作也需要控制线和地址线相配合地发出一系列命令来完成。先发出BANK激活命令（ACTIVE），并锁存相应的BANK地址（BA0、BA1给出）和行地址（A0~A12给出）。BANK激活命令后必须等待大于tRCD的时间后，发出写命令字。写命令可以立即写入，需写入数据依次送到DQ（数据线）上。在一个数据写入后延R时间。发出预充电命令，关闭已经激活的页。等待tRP时间后，可以展开下一次操作。写操作可以有突发写和非突发写两种。突发长度同读操作。 194R-J100-1753/A tRCD、tRPR的具体要求，详见SDRAM厂家提供的数据手册。所等待的工作时钟个数由tRCD、tRPR的小值和工作时钟周期共同决定。 由以上介绍可以得出，SDRAM的读、写操作均由一系列命令组成，因此读、写操作是有时钟损耗的，工作时钟速率不等于SDRAM能达到的读、写速率。但是由于SDRAM有突发读、写模式，也就是说可以读出和写入一串地址连续的数据，从而提高了效率。当突发长度为整页时，读、写速度达到快。随机读、写速度的计算公式为： furite/read=工作时钟频率（HzHzHhdkkdkssdkkdkdkd，，，m，mddddd）×数据宽度（bytes）×突发读写长度/操作所需的时钟数 为了提高存储密度，SDRAM采用硅片电容存储信息。电容总会有漏电流流过，所以为了不使信息丢失，必须定期地给电容刷新充电。外部控制逻辑必须按要求定期向内存条发出刷新命令，保证在规定的时间内对每一个单元都进行刷新。 194R-J100-1753/A
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