NI14-M18-AP6X
发布时间：2018-12-20 17:17:22点击率：
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NI14-M18-AP6X 近来英特尔扬言fabless已到终点，问题源自高通、Xilinx、Altera等fabless，因为台积电的产能不足而拿不到28nm产品。因为台积电的28nm产能扩充需要时间，而且也不能冒风险迅速扩大产能，这是IDM与代工在本质上的不同。业界传闻，为了共同的利益，未来很可能由fabless与代工合资建厂，然后再分配产能。这样的模式在英特尔与美光的合资NAND厂IMFlash中已经有过。 未来半导体业会是什么样 芯片的出货量会持续上升，新的器件结构会应运而生。 跟踪先进工艺制程或者是“不”，已成为芯片制造商的困难决定。预计到2014年时全球仅存下10家，包括3家IDM厂、4家存储器厂及3家代工厂。再过5年可能有一半要出局，全球只剩下三足鼎立。 从技术制程方面，14纳米可能是个坎。目前英特尔与台积电分别采用不同技术路线，英特尔高调宣称继续使用193nm浸入式光刻技术，不惜增加成本，采用两次图形曝光技术，甚至三四次。在10纳米节点时约2015年左右才准备导入EUV技术。而台积电认为它在14纳米时就准备采用EUV技术。实际上由于在工艺制程技术上台积电至少相比英特尔要滞后两年，因此从EUV的时间切入点两者都在2015年，实际上反映EUV设备在2015年左右才可能基本就绪。 NI14-M18-AP6X 至于450mm硅片，看来势在必行。时间点也会推迟至2015年或之后，不过它能服务的技术节点可能仅只有两代，即10nm与7nm。不过这也无碍大局，因为450mm硅片的成本效益比300mm高。 英特尔院士MarkBohr在2011年12月的iEDM会上讲：传统的MOSFET已经服务我们30多年，未来为了继续提高功能，降低功耗与成本，一个方向选择高迁移率沟道材料如InGaAs等，尤其是量子阱FET（QWFET）；另一方面提高“开关”速度，采用自旋晶体管、隧道晶体管、碳纳米T’s或者石墨烯材料等。 英特尔去年提出的3D、三栅晶体管结构是半导体业中又一次重大创新，具有深远意义。可以预计，半导体业前进的步伐不会止步。一是消费电子产品与互联网的结合，将使手机、平板等具个人特色产品的应用面持续扩大，芯片的出货量会持续上升，据预测未来各种电子装置的市场需求量将达1000亿台。另一方面，各种新的材料，包括新的器件结构会应运而生。相信全球半导体业的前景仍是十分诱人。 NI14-M18-AP6X
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