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根据ARM、赛灵思的信息，该物理IP预计在明年初流片，2017年出样给客户，不过正式上市要等到2018年。这个时间点跟TSMC宣布的7nm量产时间差不多，该公司之前多次强调会在2018年量产7nm工艺。

ARM、赛灵思 TSMC的7nm工艺

那么7nm工艺到底能带来多大的提升？恰好TSMC这两天公布了部分7nm工艺细节，他们已经使用7nm工艺试产了256MB SRAM电路，cell单元面积只有0.027mm2，读写电压0.5V，与16nm工艺相比速度可以提升40%，或者功耗降低65%。
 

TSMC的7nm工艺优势

不过TSMC这个对比中还隔了一个10nm，他们之前也公布过与10nm工艺的对比，7nm工艺下晶体管速度提升20%，或者能耗降低40%。

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