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（5）第四代IGBT与第二代第三代IGBT相比较，在功率循环寿命方面表现优异，具体如下表：
表 4
（6）第四代IGBT保持了第三代IGBT的正温度特性，易于并联。
4.3.2器件均流问题
由于单只IGBT芯片的通流能力有限，大功率产品通常采用IGBT并联来提高输出电流能力。IGBT本身具有正温度系数，具有自均流能力，适合并联。为了保证设备的可靠性，元器件首先在容量计算时提高设计裕量系数，近似两倍的余量。
采用动态均流和静态均流技术，降低IGBT的饱和压降Vce(sat)、反并联二极管的正向压降Vf对静态均流效果的影响；以及IGBT的跨导gfs和栅极－发射级阈值电压Vge_th、反并联二极管的反向恢复特性对动态均流效果的影响。
4.3.3 器件散热问题
在超大功率变频器中，发热功率密度远大于常规变频器，采用常规的散热结构无法满足高密度散热的需要。为此我们采用特殊的散热结构及布局设计，提高散热功率密度，优化热场分布，以避免IGBT结温过高导致器件损坏。
4.3.4 大电流电磁噪声抑制问题
IGBT开关动作时，在母排寄生电感上产生的尖峰电压是造成IGBT损坏的一个主要原因。该电压正比于工作电流、寄生电感、反比于IGBT动作时间。由于IGBT动作时间在不同电流下变化很小，在设备电流增大时，尖峰电压将随之等比例增加。IGBT并联的主电路结构造成线路感抗差异，这些感抗的不同将严重影响IGBT的动态工作特性，采用对称型主电路结构，大电流噪声得到有效抑制。5、冷却问题，大功率变频器由于变频器发热量占到了额定功率的3-4%，所以发热量是必须要考虑的问题。直接影响到设备的稳定运行。

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