5DP1-5051-11

5DP1-5051-11 德国弗劳恩霍夫研究所提出的惯性MEMS三维集成技术概念采用了传统铜TSV转接板技术，由于惯性MEMS芯片的厚度一般在300μm以上，为了匹配惯性MEMS芯片与TSV转接板的机械强度，TSV转接板的厚度设计≥200μm，同时由于铜TSV互连与周围硅衬底的热膨胀系数失配，铜TSV互连直径控制在≤20μm，TSV互连的深宽比≥10，这对目前TSV技术是个较大挑战。而且，包含大量铜TSV互连的硅转接板也会恶化其与惯性MEMS芯片之间的热应力失配。为了克服传统铜TSV转接板在惯性MEMS芯片三维集成应用的上述问题，德国弗劳恩霍夫研究所提出了针对基于TSV转接板的三维集成应用的惯性MEMS器件设计与制作工艺平台，该惯性MEMS器件采用玻璃浆料圆片键合实现圆片级封装，采用了周围空气电气隔离的微导电柱实现惯 性MEMS器件内部功能结构与外部的电气连接。惯性MEMS器件通过空气隔离的微导电柱倒装焊键合固定在TSV转接板上，空气隔离的微导电柱子用来解决惯性MEMS器件与TSV转接板之间热 应力失配问题。图14是基于空气电学隔离微导电柱的惯性MEMS器件制作工艺流程图。图15是加工惯性MEMS器件，图16是加工的惯性MEMS器件上空气电器隔离的微导电金属柱。

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数字 I/O 模块 DIO16-C
数字 I/O 模块 DIO32-C
数字 I/O 模块 DIO264-C
模拟/数字输入/输出模块 DA3284-C
温度 I/O 模块 TCO208-C
温度 I/O 模块 TCO216-C
Devic 主站 DNM201
EtherCAT? 从站模块 ECS200
PROFI DP 主站 DPM200
SERCOS 主模块 SEM201

3500/05 系统仪表框架
3500/15 电源模块
3500/22M 带有TDI的框架接口模块
3500/25 Keyphasor 模块
3500/40M Proximitor 监测器模块
3500/42M Proximitor 位移/速度加速度监测器模块
3500/45 位置监测器模块
3500/32 4通道继电器模块
3500/33 16通道继电器模块