FIREYE 25SU3-2000
发布时间：2018-11-08 14:27:00点击率：
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FIREYE25SU3-2000 FIREYE25SU3-2000 TSV技术应用与发展推动了基于TSV的惯性MEMS三维集成技术研究，为惯性MEMS三维集成提供新的技术途径。国际上已经公开的技术方案中，可以细分为三种情况，种是TSV互连工艺与惯性MEMS结构层制作工艺融合，形成圆片级封装形式，第二种是TSV互连工艺与MEMS专用ASIC圆片制作工艺融合，形成圆片级封装形式，第三种是TSV转接板技术形式，惯性MEMS芯片、MEMS专用ASIC芯片在TSV转接板上组装形成惯性MEMS三维集成模块。下面将对基于TSV互连的惯性MEMS三维集成技术进行介绍。 图11mCube公司开发的三轴MEMS加速度计产品 图11是美国mCube公司开发的三轴MEMS加速度计芯片横切面电子扫描显微镜照片，该款产品于2013年推向市场，是当时国际上小的三轴MEMS加速度计，面积仅为2mm^2。该款产品通过Al-Ge键合工艺使MEMS加速度计结构层圆片键合在MEMS专用集成电路IC圆片衬底上，MEMS加速度计结构层中存在硅通孔，硅通孔内填充的金属钨，借此钨TSV互连实现MEMS加速度计结构层与处于衬底位置的MEMS专用IC实现电气连接，封帽圆片通过键合工艺实现MEMS加速度计结构的局部气密性封装。从中可以发现，在此集成方案中TSV互连与惯性MEMS器件设计/加工紧密相关，惯性MEMS专用IC圆片与惯性MEMS结构圆片也是密切相关的，三者构成一个有机整体，惯性MEMS专用IC设计与惯性MEMS结构设计互相影响。 FIREYE25SU3-2000 IC200CHS112IC200CHS121IC200CHS122IC200CMM020IC200CPU001IC200CPU001LTIC200CPU002IC200CPU005IC200CPUE05IC200DBI001IC200DEM001IC200DEM064IC200DTX200IC200DTX400IC200DTX450IC200DTX650IC200DTX850IC200EBI001IC200ERM001IC200ERM002IC200ETM001IC200GBI001IC200KIT001IC200MDD840IC200MDD840LTIC200MDD841IC200MDD842IC200MDD842LTIC200MDD843IC200MDD843LTIC200MDD844IC200MDD844LTIC200MDD845IC200MDD845LTIC200MDD846IC200MDD846LTIC200MDD847IC200MDD847LTIC200MDD848IC200MDD848LTIC200MDD849IC200MDD850IC200MDD851IC200MDL140IC200MDL140LTIC200MDL141IC200MDL141LTIC200MDL143IC200MDL144IC200MDL240IC200MDL240LTIC200MDL241IC200MDL241LTIC200MDL243IC200MDL244IC200MDL244CAIC200MDL329IC200MDL329LTIC200MDL330IC200MDL330LTIC200MDL331IC200MDL331LTIC200MDL631IC200MDL632IC200MDL635IC200MDL636IC200MDL640IC200MDL640LTIC200MDL643IC200MDL643LTIC200MDL644IC200MDL644LTIC200MDL650IC200MDL650LTIC200MDL730IC200MDL740IC200MDL740LTIC200MDL741IC200MDL741LTIC200MDL742IC200MDL742LTIC200MDL743IC200MDL743LTIC200MDL744IC200MDL744LTIC200MDL750IC200MDL750LTIC200MDL930 TRICONEX3703E
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