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【BALLUFF BOS00N2】

【BALLUFF BOS00N2】

发布时间:2018-11-09 17:26:31点击率:

所属行业:五金原材料-> 废金属-> 废镍
价格:¥66
规格:BALLUFF BOS00N2
供货总量:55

【BALLUFF BOS00N2】

BALLUFFBOS00N2 GlobalFoundries、英特尔、三星和台积电希望将EUV光刻技术加入到7nm和5nm生产中。但就像以前一样,EUV由几部分组件组成,在芯片制造商能够引入之前,它们必须整合在一起。包括光刻机、光源、光刻胶和掩膜。近,行业已经开始发布关于量子随机效应的警报,这种现象会引起光刻图案随机变化。

有些组件已经准备就绪,而有些则发展缓慢。事实上,EUV团队将光刻胶及其相关问题列为EUV的大挑战,超过了电源。经过多年的推迟,EUV光源功率终于满足了大批量生产(HVM)的要求。

光刻胶是用来制作图案的光敏聚合物,它是造成随机性效应的罪魁祸首之一。根据定义,随机效应描述了具有光量子随机变化的事件。它们是不可预测的,没有稳定的模式。

在EUV的情况下,光子击中光刻胶并引起光化学反应。但是对于EUV光刻胶而言,由于量子非定域效应,每个或多个反应期间可能出现新的不同的反应。因此EUV容易发生涉及随机效应。一般来说,该行业将随机性主要归咎于光刻胶,但EUV的光掩膜和其他部分(EUV光子平均自由程较大)也可能会出现随机变量。 

BALLUFFBOS00N2  随机效应并不新鲜。事实上,这一现象多年来一直困扰着EUV团队。众所周知,随机效应会导致光刻图案的变化。行业一直在努力解决这个问题,但人们要么低估了问题,要么没能及时解决问题,要么两者兼而有之。

新情况是,行业终于迎来了另一个问题。一颗先进的逻辑芯片集成了十亿个甚至更多的微小通孔。如果EUV光刻过程中出现问题,芯片可能会遭受由于随机效应引发的失效或缺陷(通孔缺失contactmissing)。换言之,一颗芯片可能会因为一个触点通孔的缺陷而失效。 

这可能是一厢情愿的想法,但芯片制造商相信他们可以躲避7nm工艺节点潜在的由随机性引发的缺陷。事实上,EUV可能出现在7nm工艺节点。但在5nm甚至是7nm工艺节点的情况下,芯片制造商可能无法避免这些和其他问题,除非行业出现一些新的突破。GlobalFoundries研究员兼技术研究总监HarryLevinson表示:“公平地讲,我们的行业非常乐观地看待我们向EUV光刻前进的方向。我们正准备将代引入到大批量生产中,展望第二代EUV光刻技术,抵抗随机效应是重要的问题之一。”

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