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发布时间：2018-11-09 17:28:42点击率：
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RELIANCE0-51486-56 无论节点如何，EUV随机效应都为芯片制造商、晶圆厂工具供应商和IC设计团体带来了麻烦。西门子公司DFM项目总监DavidAbercrombie表示：“从设计的角度来看，随机效应确实是随机的，因为你无法预测变化的位置和数量。因此，没有系统的方法可以说一个特定的布局特征应该在这个区域还是在另一个区域中进行修改。换言之，除了避免的所有敏感特性的出现，将其转化成传统设计规则约束以外，完全没有办法在设计过程中补偿随机效应影响。” 作为回应，该行业正在采取措施解决一些问题。其中包括： •供应商正在改进EUV光刻胶。 •AppliedMaterials和ASML正在开发一种新的电子束测量工具，承诺可以检测出随机性缺陷。此外，创业公司FracTIlia已经设计了一种方法来辅助测量。 •然后，通过这些新的测量数据，芯片制造商请求有竞争力的晶圆厂工具供应商进行合作，并一起对信息进行整合。 RELIANCE0-51486-56
芯片制造商需要EUV，因为使用今天的光刻技术来绘制微小特征变得越来越困难。 初，芯片制造商将把今天的193nm沉浸式光刻和多重曝光扩展到10nm和7nm工艺节点。这些技术是可行的，但是使用它们来实现特定图形变得更加困难。因此，芯片制造商初希望将EUV用于器件的通孔层。他们将继续在其他部分使用沉浸式光刻和多重曝光。 根据GlobalFoundries的数据，为了处理触点/通孔，在今天的7nm工艺节点中，每层需要2到4个掩膜。但是，EUV每层只需要一个掩膜。 EUV的引入取决于技术的成熟程度。今天，ASML正在出货其量产EUV光刻机，NXE:3400B。13.5nm波长，拥有13nm光刻图形分辨率。 EUV光刻机可以曝光出优良的图形，但多年来EUV光源没有产生足够的功率。这影响了系统的整体生产率。现在，ASML正在出货一个246瓦的EUV光源，生产率为125片晶圆/每小时（wph）。这达到了HVM大规模量产的目标水平。 然而，挑战远未结束。今天的193nm光刻机可以在250wph下不间断运行。然而，EUV的正常运行时间徘徊在70％和80％左右。ASML产品营销总监MichaelLercel表示：“我们已经证明我们可以实现生产率指标。今年的重点是确保实现可用性。我们的目标是达到90%以上的可用性。” 此外，EUV掩膜版保护薄膜还没有准备好。“薄膜正在进步。虽然透光率仍然很低，但是我们已经证明了这些薄膜可以在245瓦的条件下使用。在采用一些新材料的离线测试中，我们认为它们甚至可以超过300瓦。”
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