MK575/575R
发布时间：2018-11-09 17:31:22点击率：
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MK575/575R MK575/575R 简而言之，光刻光源产生光子或光粒子。光子撞击光化学放大型光刻胶，产生光酸。然后，化学放大型光刻胶在曝光后的烘烤过程中进行光酸催化反应。 可用于EUV的化学放大型光刻胶经历类似的过程之后会有不同的结果。IMEC先进图案部门主管GregoryMcIntyre表示：“在EUV案例中，情况要复杂得多，而且不是很好理解。你要有更高能量的光子，它会产生高能电子，并迅速跃迁为低能量电子。然后这些电子就会与被撞击的物质相互作用。这里有很多的未知因素，比如产生了多少电子，能量是多少，更重要的是，这些电子会产生什么样的化学反应。” 另一种解释是，当系统将光刻胶暴露于EUV光照射下，将一定数量的光子送入了光刻胶。理想情况下，这些光子会均匀分散。但是光刻胶的一点可能会吸收10个光子，而另一个点可能会吸收8个光子。这种不希望的结果被称为量子随机效应（量子涨落）。 MK575/575R 在另一个例子中，假设EUV光在三个连续和单独的事件中击中光刻胶。在个事件中，光刻胶吸收10个光子。第二次吸收9个光子，第三次吸收11个光子。这种从一个事件到下一个事件的变化称为光子散射噪声现象。 如果将这些事件绘制在图表曲线上，那么光子的分布有时是不理想的。McIntyre表示：“随着我们走向越来越小的特征尺寸，我们会发现高斯分布开始长出一条尾巴，并且在一边变得不对称。这种尾巴的增长导不可能发生事件的可能性增加。”（随机涨落效应的影响大大增加） 图2：带尾巴的高斯分布。右边的图表基于1B数据点。 多年前，随机效应和散射噪声并没有出现在雷达屏幕上，但问题开始出现在193nm光刻技术中。在193nm处，芯片制造商在光刻图形边缘附近使用10mJ/cm²的剂量。FracTIlia的技术官ChrisMack解释说：“如果观察1nm²的面积，那么在整个曝光过程中，平均有97个光子会穿过该区域进入光刻胶。但是如果观察10nm²的面积，平均会有9700个光子。” 因此，根据Mack的说法，当有足够数量的光子来生成一个图案的时候，那么光子散射噪声或随机变异则只有1％。（在大量粒子统计情况下，量子涨落可以微不足道） 然而，EUV光子的每个光子的能量比193nm的光子高14倍。Mack表示：“这意味着，对于相同的剂量，EUV的光子数量要少14倍。因此，在上例中，我们有97个光子暴露在1nm²的区域，而EUV中只有7个光子。相对不确定性是光子数的平方根分之一。对于97个光子，这是+/-10%的不确定性。对于7个光子，不确定性为+/-40％。”
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