Siedle TC 611-5
发布时间：2018-11-09 17:34:59点击率：
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SiedleTC611-5 使得问题复杂的是，每个节点的特征尺寸都要更小一些。当你计算光刻过程中光子的数量时会发现，在这一点上的变化呈指数级上升。 这并不新鲜。多年来，Mack和其他人都警告说：“EUV随机效应可能导致图案成像中不希望的边缘粗糙度（LER）。LER被定义为图案边缘与理想形状的偏差。” LER会影响晶体管的性能。此外，LER不随着特征大小微缩，因此它在每个节点的图案中会占据更大的百分比。 图3：线边缘粗糙度（LER） 除了LER之外，业内现在还担心芯片的其他部分，特别是触点通孔。在操作中，EUV光刻机产生对接触孔进行图案化的光子。但有时，这一过程并不，导致通孔中存在随机性缺陷。这些缺陷表现为断线或通孔合并，有时称为“通孔丢失和通孔接触”。 SiedleTC611-5 这些缺陷是灾难性的。Mack表示：“接触孔是一个小点，你要放一些光子。但是如果只有少量光子，接触孔有时会得到100个光子，有时会是80个，有时会是140个，结果就是接触孔大小的变化。” 这些缺陷可能会在7nm工艺节点出现，但它们更可能在5nm及更先进的节点处出现。Mentor的Abercrombie表示：“EUV中的随机效应实际上在CD控制的正常剂量/聚焦窗口上添加了随机变化，以及额外的线边缘粗糙度和光刻剂量变化。对于工程师来说，这意味着更少的工艺窗口，它可以转化为更复杂的DRC设计规则和更少的工艺缩减。” Abercrombie表示：“这使得以设计为导向的对策非常无效，因为你无法预测在任何特定布局位置或配置中会发生什么情况，因此无法对其进行修改。事实上，由于随机效应可能会对目标平均值产生正负偏差和LER影响，因此，根据情况在一个特定位置进行修改可能造成的伤害跟益处一样多。随机效应将主要成为决定哪些层将使用哪种光刻/多重曝光技术来实现验证流程节点所需的面积和产量要求的重要因素。” SiedleTC611-5
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