CPX2500S/F2/S1

发布时间：2018-11-10 09:46:10点击率：0

所属行业：五金工业品-> 电子电工-> 电子材料
价格：￥66
规格：CPX2500S/F2/S1
供货总量：666

CPX2500S/F2/S1

CPX2500S/F2/S1
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CPX2500S/F2/S1 多年前，随机效应和散射噪声并没有出现在雷达屏幕上，但问题开始出现在193nm光刻技术中。在193nm处，芯片制造商在光刻图形边缘附近使用10mJ/cm²的剂量。FracTIlia的技术官ChrisMack解释说：“如果观察1nm²的面积，那么在整个曝光过程中，平均有97个光子会穿过该区域进入光刻胶。但是如果观察10nm²的面积，平均会有9700个光子。”

因此，根据Mack的说法，当有足够数量的光子来生成一个图案的时候，那么光子散射噪声或随机变异则只有1％。（在大量粒子统计情况下，量子涨落可以微不足道）

然而，EUV光子的每个光子的能量比193nm的光子高14倍。Mack表示：“这意味着，对于相同的剂量，EUV的光子数量要少14倍。因此，在上例中，我们有97个光子暴露在1nm²的区域，而EUV中只有7个光子。相对不确定性是光子数的平方根分之一。对于97个光子，这是+/-10%的不确定性。对于7个光子，不确定性为+/-40％。”

使得问题复杂的是，每个节点的特征尺寸都要更小一些。当你计算光刻过程中光子的数量时会发现，在这一点上的变化呈指数级上升。

这并不新鲜。多年来，Mack和其他人都警告说：“EUV随机效应可能导致图案成像中不希望的边缘粗糙度（LER）。LER被定义为图案边缘与理想形状的偏差。”

LER会影响晶体管的性能。此外，LER不随着特征大小微缩，因此它在每个节点的图案中会占据更大的百分比。

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