【6ES7136-6RA00-0BF0】
发布时间：2018-12-10 09:20:11点击率：
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6ES7136-6RA00-0BF0 EOS是当电子器件承受超过该器件规定限值的电流或电压时发生的热损坏。热损坏一般由EOS事件（跨电阻的大电流）中产生的过多热量引起。这种高温会对用来构建集成电路的材料造成损坏，从而导致其运行被破坏或性改变。 既然您已了解EOS是什么，您如何能知道规定限值是多少呢？为达到这个目的，您必须仔细查看电子器件产品说明书中的大额定值表（请参看表1，它来自DRV8701产品说明书）。大额定值是这样的技术规格——超过它们会发生性损坏。在产品说明书中，大额定值与推荐工作条件不同；如果超过那些推荐工作条件的技术规格，器件可以继续运行，只是在以产品说明书推荐工作条件范围之外的技术规格运行。违反表1规定的一个例子是：如果由于电源轨上的瞬态事件，VM电源引脚达到了50V…… 表1：DRV8701的大额定值表 那么，可在电机驱动系统里导致EOS的一些常见根源是什么？ 电源过压 EOS的常见根源之一是器件电源输入端上的过压事件。电源过压可由电机再生电能（如以前一篇文章中所概述的，示例见图1）或系统的外部事件（如组件故障）引起。了解过压事件的根源所在需要在一切可能的内部和外部运行条件下监测系统电源轨。 6ES7136-6RA00-0BF0 开关瞬变 导致电机驱动系统中出现EOS现象的另一种常见根源是：遭受与功率金属氧化物半导体场效应晶体管（MOSFET）的开关相关的电压瞬变。在理想的半桥开关系统中，电压将在VGROUND和VSUPPLY（图2）之间交替波动。但在现实世界里，功率MOSFET和印刷电路板（PCB）布局中的寄生现象会导致电压瞬变——电压将变得低于VGROUND或高于VSUPPLY（图3）。 6ES7136-6RA00-0BF0
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