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加拿大的DALSA是北美技术实力完备的代工企业，为美国和加拿大各个高校和研发机构提供代工服务，也推出自己的标准金属导体填埋TSV技术。并开发出10轴集成的惯性器件的标准工艺方案，可同时在同一芯片上同时实现真空、气密和用于气压计的引气孔，如图3所示。

图3 6轴惯性器件集成制造的TSV和WLP

一种高度集成化的MEMS圆片级真空方案是利用ASIC芯片作为MEMS器件圆片级真空封装的盖板，如图4所示。ASIC芯片在流片时需要制作电极引出（I/O）所需的TSV通孔，而ASIC盖板和MEMS芯片焊接面同样需要制备TSV接触孔并制作键合焊料环。此技术方案的优点在于高度的集成化，不需要通过TSV转接板直接实现MEMS-IC的纵向堆叠集成。然而，该技术方案的先天不足是，ASIC的MEMS芯片的面积需要保持一致，而IC技术按比例缩小的速度要远超过MEMS技术，可以要求两者的芯片面积保持一致会导致芯片面积浪费以及成本提高。此外，ASIC流片的晶圆尺寸已经达到12英寸，而MEMS芯片的流片尺寸一般为4~8英寸，在进行圆片级真空封装键合存在困难。此技术比较适合MEMS和IC在同种工艺条件下，同一代工厂流片，并且MEMS的器件成品率要达到IC的成品率水平，同时MEMS器件的精度要求不能过高。因此，比较适合消费类电子类的MEMS惯性器件，而不适合对性能有较高要求的军用MEMS惯性器件。