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美国InvenSense公司给出了一种类似的MEMS-IC单片集成式的MEMS圆片级真空封装的技术方案，如图5所示。其特点在于不使用TSV作为MEMS器件电极引出方案，而是直接采用ASIC中的金属引线作为跨越封装内外的电学引出导线。比上述方案具有一定的先进性，但是同样不适合军用高性能MEMS器件的圆片级真空封装。

图5 美国InvenSense公司单片集成MEMS-IC圆片级真空封装方案

瑞典AAC Microtec提出了一种基于双面铜电镀的TSV盖板圆片级真空封装方案（XiVIA），如图6所示。其特点在于和常规TSV相比该技术可以在厚度为300~800微米的硅片上制作穿通硅片的MEMS圆片级真空封装盖板，因此盖板的刚度较大，比较适合用于惯性MEMS器件的真空封装。然而，该技术采用铜电镀制作TSV电极引出子，同时作为气密封装填充材料，因此和普通金属化TSV技术同样存在长期可靠性问题。特别是在军用全温环境下，电镀金属和硅衬底的结合紧密度直接影响器件的漏率和长期真空度。

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3500/15 电源模块
3500/22M 带有TDI的框架接口模块
3500/25 Keyphasor 模块
3500/40M Proximitor 监测器模块
3500/42M Proximitor 位移/速度加速度监测器模块
3500/45 位置监测器模块
3500/32 4通道继电器模块
3500/33 16通道继电器模块
3500/34 TMR继电器模块
3500/50 转速模块
3500/53 超速检测模块
3500/60 和3500/61温度监测器模块
3500/62 过程变量监测器模块
3500/64M 动压监测器
3500/65 16通道温度模块
3500/70M 往复压缩机冲击速度监测器
3500/72M 活塞杆位置监测器
3500/77M 汽缸压力监测器
3500/63 气体监测器
3500/92 通讯网关
3500/93 LCD 显示装置